多數(shù)未采取保護(hù)措施的元器件靜電放電敏感度都是很低，很多在幾百伏的范圍，如MOS單管在100-200V之間，GaAsFET在100－300V之間，而且這些單管是不能增加保護(hù)電路的；一些電路尤其是CMOSIC采取了靜電保護(hù)設(shè)計(jì)，可雖然以明顯的提高抗ESD水平，但大多數(shù)也只能達(dá)到2000－4000V，而在實(shí)際環(huán)境中產(chǎn)生的靜電電壓則可能達(dá)到上萬(wàn)伏(如第1章的表1.4和表1.6。因此，沒(méi)有防護(hù)的元器件很容易受到靜電損傷。而且隨著元器件尺寸的越來(lái)減小，這種損傷就會(huì)越來(lái)越多。所以我們說(shuō)，絕大多數(shù)元器件是靜電敏感器件，需要在制造、運(yùn)輸和使用過(guò)程中采取防靜電保護(hù)措施,使用離子風(fēng)機(jī)。