ESD放電造成微電子電路損傷的模式金屬布線與擴散區(qū)(或多晶)接觸孔產(chǎn)生火花，使金屬和硅的歐姆接觸被破壞。

使節(jié)點的溫度超過半導體硅的熔點(1415℃)時,使硅熔解，產(chǎn)生再結(jié)晶，造成器件短路。金屬化電極和布線熔解、球化，造成電路開路。大電流流過PN結(jié)產(chǎn)生焦耳熱，使結(jié)溫升高，形成熱斑或熱奔，導致器件損壞靜電放電引發(fā)的瞬時大電流(靜電火花)引燃引爆易燃、易爆氣體混合物或電火工品，造成意外燃燒、爆炸事故。

靜電放電使人體遭受電擊引發(fā)操作失誤造成二次事故、靜電場的庫侖力作用使紡織、印刷、塑料包裝等自動化生產(chǎn)線受阻。第三類靜電危害是由于靜電放電的電磁輻射或靜電放電電磁脈沖(ESDEMP)對電子設備造成的電磁干擾引發(fā)的各種事故。

　一般說來，靜電放電都是在微秒或鈉秒量級完成的，因此這一過程是一種絕熱過程，放電瞬間通過回路的大電流，形成局部的高溫熱源。對微電子器件而言，其靜電放電能量通過器件集中釋放，其平均功率可達幾千瓦，熱量很難從功率耗散面向外擴散，因而在器件內(nèi)形成大的溫度梯度，造成局部熱損傷，電路性能變壞或失效。